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[存储评测] NAND闪存接口标准介绍

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发表于 2021-9-5 15:09:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
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一、        NAND闪存分类
可以按下面几种方式给闪存分类。
数据线宽度:8位/16位
信号线模式:同步/异步
数据采集模式:SDR / DDR
接口命令标准:非标准 / ONFi / Toggle
二、接口命令标准
Onfi诞生于2006年,使用ONFi的闪存厂家有 英特尔、美光、海力士、长江。
使用Toggle的闪存厂家有 东芝和三星。
闪迪比较特殊,既有ONFi的闪存又有Toggle的闪存,也有同时支持两种的闪存。
Onfi中包括 SDR(异步)、NV-DDR、NV-DDR2、NV-DDR3、NV-LPDDR4。
在最新的Onfi 5.0版本中。NV-DDR3和NV-LPDDR4的最快速度可达2400MT/s(1200MHz)

onfi5.PNG

Toggle也有不同的版本,包括Toggle 1.0 2.0 3.0等,但没有公开的文档说明。

三、信号线简介
CLE(Command Latch Enable):命令所存。
ALE(Address Latch Enable) : 地址锁存。 与CE、ALE、WE、RE、DQS、CLK等共同用于指示总线的状态(Standby, Idle, 指令周期, 地址周期, 数据输入周期, 数据输出周期等)
DQ7-0(IO7-0): 8 位数据线
CE(Chip Enable) :选择Target,低电平有效。
R/B:Ready/Busy. 低电平表示Busy, 表示有一个或多个Die(LUN)正在忙。
RE:Read Enable.
W/R:Write/Read
DQS:Data Strobe
WP:Write Protect.
各个接口命令标准中使用的信号线并不一样,并不是所有的信号线同时都会被使用,具体情况很复杂,不展开介绍了。

signal_ass.PNG

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发表于 2021-9-5 21:41:41 | 显示全部楼层
学习了,有科普贴必看
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发表于 2021-9-6 06:00:34 | 显示全部楼层
科普文章一篇又一篇,新的知识又增长了
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发表于 2021-9-6 10:37:44 | 显示全部楼层
又学到了一些知识,果然需要科普才能看的更多。
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发表于 2021-9-6 10:43:18 来自手机 | 显示全部楼层
学无止境               
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发表于 2021-9-6 12:57:43 | 显示全部楼层
长知识了, 学习一下
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发表于 2021-11-22 23:32:24 | 显示全部楼层
长知识了。果断收藏,用的少不久就会忘掉
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发表于 2021-11-23 20:17:30 | 显示全部楼层
梦回数字逻辑哈哈,收藏了
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