三星BAR Plus是三星自己的USB闪存盘中的一条产品线。作为全球屈指可数的几家闪存芯片生产厂家,三星的颗粒一直广受好评,之前论坛有过32GB版本的评测,今天测试的是128GB版本。经过测试发现,与小容量版本比较,速度提升明显。
目录
介绍
三星BAR Plus是三星自己的USB闪存盘中的一条产品线。作为全球屈指可数的几家闪存芯片生产厂家,三星的颗粒一直广受好评,之前论坛有过32GB版本的评测,今天测试的是128GB版本。经过测试发现,与小容量版本比较,速度提升明显。
规格
本次评测的是BAR升级版+ USB3.1 闪存盘。官方宣称读取可到400MB/s,且有防水防磁等卖点。
除此之外,还有防水标准:可在3%氯化钠盐水中浸泡长达72小时。防磁标准:高达15,000高斯(等于MRI)。
但三星官网注释,对于损坏或恢复数据所产生的费用不承担任何责任。
外观
首先是包装,三星这款的包装比以往拆的同类型包装要更厚实一点。
盘体是金属材质,没有拉丝,也不是磨砂,手感比较光滑。
尾部明显更重。
大小和长度适中,适合作为日常使用的U盘随身携带。
测试平台
CPU:i3-10100
主板:华硕TUF 华硕TUF GAMING B460M-PLUS (WI-FI)
接口:Intel 原生 USB3.2 gen1
基准测试
芯片精灵
使用的慧荣SM3281BB主控,三星的颗粒。
识别为双通道是错误的,实际上是单通道。
WTGbench
得到了Gold评价,4K随机的速度比较可观。
CrystalDiskMark
ATTO Disk Benchmark
TxBENCH
AS SSD Benchmark
Iometer 2000s 4k写入
4K写入一直稳定在平均2300IOps左右,还是非常不错的。
掉速测试
连续4k写入后的掉速测试
测试方法:先对U盘进行慢速格式化,然后测速。之后使用Iometer 4K
随机写入2000秒。通电闲置15分钟,再进行测速。如果U盘的4K随机速度有降低,则认为对U盘的4K随机速度有不可恢复的降低。不适合作为WTG系统盘长期使用。具体实验方法参考:掉速实验(萝卜头论坛)
结果如下:
结论:连续的4K写入对U盘的4K写入性能造成了一定的影响。包括速度变慢,访问时间变慢等。
连续写入之前
连续写入之后
填充50%、90%测速
将U盘分别填充到50%和90%进行测速。 有的盘的SLC缓存区会动态变化,当可用空间越少的时候,性能可能越差。 结论:剩余空间对速度没有影响
50%
90%
TxBENCH全盘写入测速
利用TxBENCH进行全盘写入,并记录每个时期的速度。这项测试可以帮助了解U盘的长时间连续写入速度是否稳定。如果是SSD盘则能够测试SLC缓存的大小和缓外速度。测试方法
总体来看,写入速度还稳定在62MB/s,鲜有掉速。表现很稳定。
总结
这个盘用单通道1CE实现了如此快的连续读写速度,和4K速度,三星的技术实力可以说很强。
但是CDM混和读写性能略差,以及WTGBench场景测试中分数较低,表明这个盘在多线程混合读写情况下可能表现不好,不适合重度WTG应用。
类似的U盘还有雷克沙M45,三星这款与之相比有原厂颗粒的优势,价格合适的情况下 ,可以适当考虑。
|