同类型产品,要么体积比他大(因为是硬盘盒+NGFF硬盘的分体式方案,而不是CF这种一体式方案,很难做到最小体积),要么就没他容量大。 就算看体积差不多的还能做到容量这么大的,也没几个,而且价格是他的好几倍。同体积容量最大,同容量体积最小,确实是值得称赞。 金士顿DTUGT,京东自营旗舰店2TB版本售价RMB 9999,售价是CF盘 2TB版本的3倍多(目前的消息CF盘 2TB版本售价会在RMB 3000上下),且Seq写入速度只有200MB/s。 据我所知应该是采用和HXS3一样的群联PS2251-08(PS2308)USB控制器,因为看读写速度最高也就是300MB/s左右的水平,4K写入速度可低至0.003MB/s,是我所见过的磁盘中4K写入速度最差的磁盘,没有之一(连黑胶牛屎主控盘都没这么慢)。 并且,通过拆解我们发现,其内部并非采用原厂正片,而是用的白片;对此,在MWC19上我看到某个固态硬盘厂商所展示的产品用的也是白片闪存(不是金士顿),询问后,对方表示:消费级用不着原厂正片,用这种白片降级片就足够了。 第二部分:金士顿HyperX Savage USB 闪存盘拆解分析
好了,废话少说,开箱!
这个帖子应该也是「全网首发」开箱评测2TB固态闪存盘(固态U盘)的帖子了
此次收到的是工程样盘,所以是这样的黑色防震袋包装,正是零售版会是精致的黑色包装盒,至于是什么样子的嘛......你们买一个就知道了呀 /滑稽 (CF很早之前就换成那种精致的黑色包装盒了,最近一段时间买盘的人应该都知道)
最上面的是NANO,中间两个就是本次收到的两枚3D NANO的电路板,分别是1TB版本以及2TB版本,最下面的是NANO C
背面
1TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
1TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
镁光(Micron)DDR3 DRAM微距照
在镁光官网根据 FBGA Code(适应层码)可以查询到 Part Number(零件编号)为 MT41K512M16HA-107G:A
闪迪(SanDisk)BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存(单颗容量512GB)特写
闪迪(SanDisk)BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存(单颗容量512GB)微距照
2TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
2TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
镁光(Micron)DDR3 DRAM微距照
在镁光官网根据 FBGA Code(适应层码)可以查询到 Part Number(零件编号)为 MT41K1G16DGA-125:A
东芝(Toshiba)BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存(单颗容量1TB)特写
东芝(Toshiba)BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存(单颗容量1TB)微距照(上)
东芝(Toshiba)BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存(单颗容量1TB)微距照(下)
新的1TB和2TB版本的3D NANO采用的是SM2258H主控+闪迪/东芝 BiCS 64层堆叠 3D TLC闪存, 而2019款128GB、256GB、512GB版本的NANO还是继续采用SM2246EN主控+MLC闪存
慧荣科技(Silicon Motion) SM2258H SSD控制器微距照
祥硕科技(ASMedia)ASM1351 USB3.1 Gen2 转接芯片(上)和兆易创新(GigaDevice)W25X10CLUXIG SPI NOR Flash(下)微距照
威世(Vishay)钽电容微距照
CHIPFANCIER NANO C对比13英寸MacBook Pro蝶式键盘
CHIPFANCIER NANO C对比创见移动固态硬盘
CHIPFANCIER NANO C对比中华人民共和国居民身份证(一般银行卡大小)
CHIPFANCIER NANO C纵向对比iPhone X
CHIPFANCIER NANO C横向对比iPhone X
开箱完毕,下面是测试环节
ChipGenius芯片精灵测试
TxBENCH测试
AS SSD Benchmark测试
CrystalDiskMark测试
IsMyHdOK测试
Anvil's Storage Utilities测试
Blackmagic Disk Speed Test测试
trimcheck测试
IOmeter 4K QD32 随机写入测试
尾巴:
从SLC到MLC,从MLC到TLC,再到现在QLC,每一次都会有人都会鄙视本代技术,当下一代技术出现时候,又会说本代技术真香。时代在发展,科技在进步。
制程越先进寿命越差,谁告诉你MLC一定比TLC寿命好的,寿命这个东西是由主控、算法以及使用方式等多方面因素息息相关的,而不单单是由存储芯片所决定的。
另外就是,因为性能和寿命等方面的考量,小容量的盘还会继续用MLC只有1TB和2TB的产品会采用3D TLC闪存,并且会采用专为3D TLC闪存优化的SM2258H主控,配合DDR闪存。这样一来,采用3D TLC闪存的产品性能能达到和MLC闪存一样的水准,而且不开SLC Cache所以也不会有所谓的掉速问题,寿命的话因为容量大了所以理论上1TB 3D TLC的盘的TBW(总写入字节数)和512GB 2D MLC的盘几乎一样,2TB版本的寿命又翻了一倍,前提是每天写入同样多的数据。
正常人一天也就写进去几十GB吧,谁整天往盘里面读写几个T的数据啊......这寿命绝对够用了,何况还有终身质保,速度快了价格低了,用坏了直接找官方换新的岂不美哉?你怕啥。
说到这里那我们就来计算一下如果有人想故意的把寿命用光,然后就持续不断的擦写闪存,需要多久:
现在正常的64层TLC寿命可以达到800-1000PE,正常使用下来800PE会有,2TB=2097152MB(2*1024*1024=2097152MB),2097152*800=1677721600MB,平均下来写入速度是400MB/s,1677721600/400=4194304s,4194304/86400(24小时*每小时60分钟*每分钟60秒=每天86400秒)约等于48.545天,当然这是持续写入的时间,还得有擦掉的时间呢,所以至少应该超过这个时间,而且还要找到能执行这项操作的程序,还要搭着时间精力电费,就为了恶搞一下厂商?真不值当的,我相信一定不会有这么无聊的人吧......
那让我们来算一下正常人这个盘,就算用10年对吧(我跟你讲你肯定用不到十年!不信走着瞧,不说10年,5年后出USB4.0的盘了你换不换?)咱就按十年算:
前面我们算过,这个盘的闪存芯片总共可以写入1677721600MB这么多数据,不考虑闰年的话,每年365天,用10年也就是3650天,1677721600/3650/1024约等于448.877GB/天,每天写入448.877GB这么多数据可以用10年,那要是用5年将尽每天可以写入1TB数据,关键是你转天还得擦掉,正常人谁每天往盘里写这么多数据,而且写完了转天还擦掉,然后再接着写,这么循环往复下去。
所以经过这么多计算,我们的结论是什么?就是哪怕用了3D TLC闪存,你的盘也绝对是寿命过剩的,真到了那时候可能先出问题的不会是闪存寿命,而且主控掉固件?或者USB头都给磨坏了吧......
寿命就不是我们作为消费者该担心的问题,这是厂商该担心的问题才对。正常使用,你能把寿命用完我服你(当然你要是闲的没事干故意擦写完所有寿命当我没说)。
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