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[每日话题] SLC/MLC颗粒重出江湖,西数开发LLF闪存

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发表于 2019-3-15 16:03:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

西数正在开发自己的LLF低延迟闪存,与传统的3D NAND相比,它将提供更高的性能和耐用性,最终用于与英特尔的傲腾存储竞争。

本周的活动上,西数谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术旨在实现3D NAND和DRAM之间的性能。LLF闪存将具有微秒级的延迟,采用SLC或者MLC颗粒。

西数表示,LLF闪存的成本比DRAM低10倍,但是按照每GB价格计算,3D内存的成本仍是3D NAND的20倍,因此它只能用于针对数据中心或高端工作站,类似于现在的英特尔Optane和三星Z-NAND。

外媒报道称,存储大厂西部数据(WD)正在开发自家的低延迟闪存,与传统 3D NAND 相比,其能够带来更高的性能和耐用性,旨在与英特尔傲腾产品展开竞争。在本周的 Storage Field Day 上,西数透露该技术介于 3D NAND 与 DRAM 之间,类似于英特尔傲腾和三星 Z-NAND 。其访问延迟在微妙级,使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元。

作为一款性能向的定制设备,LLF 存储的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照当下的每 GB 价格计算,其成本是 3D NAND 存储的 20 倍。换言之,这项技术只会在数据中心或高端工作站普及开来。

西数没有透露其低延迟闪存的所有细节,也无法说明它是否与去年推出的东芝XL-Flash 低延迟3D NAND 或其它特殊类型的闪存的关联有关。

至于实际的 LLF 产品将于何时上市,该公司不愿表态。即便西数的 LLF 基于 BiCS4 的 3D NAND 存储技术打造,即日起开始生产的难度也不大。


有趣的是,尽管西数的低延迟闪存将与英特尔傲腾和三星 Z-NAND SSD 展开竞争,但该公司并未将 LLF 称为“存储级内存”(SCM)。


从长远来看,西数正在秘密开发基于 ReRAM 的存储级内存产品,并与惠普携手开发基于忆阻器的 SCM 硬件。

当然,研发往往需要多年。在下一代技术投入使用前,业界还是会着力于更成熟的 NAND 闪存,来满足客户对于容量和性能的需求。



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发表于 2019-3-18 15:13:55 | 显示全部楼层
现在连MLC颗粒都很少有的了
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发表于 2019-3-18 17:42:04 | 显示全部楼层
有很多高端产品并不针对个人消费者
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发表于 2019-5-4 10:40:05 | 显示全部楼层
考虑下价格好不好,尤其固态优盘。。。。。
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