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[资源分享] 淘汰内存+闪存!Intel MRAM已可量产:200℃高温能用10年

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发表于 2019-3-5 08:33:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

多年来,半导体行业的标准存储格局一直是DRAM内存+HDD机械硬盘/SSD固态硬盘,不过各家巨头也一直在探寻新的、更好的方案,比如Intel的傲腾,就致力于消弭内存与硬盘之间的鸿沟。

还有一种方案就是MRAM(磁阻式随机访问内存),Intel、IBM、三星、海力士、东芝、TDK等大厂和一些创业企业都研究了好多年。现在,Intel宣布他们的MRAM已经准备好大规模量产了!

MRAM存储技术和NAND闪存类似是非易失性的,也就是断电后不会丢失数据,而写入速度可以达到NAND闪存的数千倍,建立时间(settling time)可以达到1纳秒,比目前DRAM内存的理论限制还要好,等于综合了RAM内存、NAND闪存的优点,可以兼做内存和硬盘。

同时很关键的是,它对制造工艺要求低,而且在传统DRAM工艺升级越来越难的情况下,MRAM却可以更轻松地更新,良品率也高得多,意味着成本可以得到更有效地控制。


Intel即将量产的MRAM就采用了很成熟的22nm FFL FinFET制造工艺,良品率居然超过了99.998%!对于一种很全新存储技术来说相当不可思议。

至于为何不用更新的14nm,可能是MRAM目前对新工艺不敏感,也可能是Intel 14nm工艺现在产能太紧张了,腾不出手来。


按照Intel给出的技术规格,这种MRAM的每个存储单元的面积为0.0486平方微米、容量7Mb,读取时间0.9V电压下4纳秒、0.8V电压下8纳秒,写入时间-40℃下也有10微秒,写入寿命不低于一百万。

寿命那是相当的长,标准耐受温度范围-40℃到125℃,而Intel工程师强调,即便放置在200℃高温下数据完整性也能保持10年之久。

不过,MRAM具体什么时间投入规模量产,用于何种产品之上,Intel尚未给出更详细的说明。




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发表于 2019-3-7 08:25:47 | 显示全部楼层
什么情况,离我还有多远?
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