本帖最后由 powerxing 于 2017-10-18 00:36 编辑
上个月底购买ChipFancierPro时考虑过512G，看到坛友有人反应512G掉盘不识别的几率大于256G的，且由于第一次购买，于是入手了256G的，今天心血来潮实测了下耗电：
1、测试环境：
联想MIIX4旗舰版（插入电源适配器，电源选项：高性能模式）
Intel Core M5-6Y54处理器
8G内存，三星256G固态 TLC、2280、NGFF
Windows10 x64 专业版（开启UASP、UEFI+VHDX启动）
【Intel原生USB3.0】→【USB3.0一分三HUB+千兆LAN】→【USB3.0电流表】→【ChipFancierPro256G固态U盘】
2、先来看看SMART信息：
固件版本Q0303B（2017.3.3），主机逻辑写入量（F1项）已经有807GB，实际Flash写入量（F5项 ）已经达到1480GB，写入放大为1.83，主机到接口UDMA的ECC纠错（C7）和CRC校验计数（C3）不为零，还有不显示温度，不知道是固件原因还是电路设计问题，希望下一代改进。PS：其中F1、F2、F5项的16进制数据转换为10进制后 ÷ 32 = 数据量（单位GB）。
3.1、在USB2.0下测速图：
4K-64线程写入高达4万+IOPS
在NAND写入量已经有几个P/E的情况下读写速度依旧很给力且比较稳定，可见主控主动GC的重要性。
4.1、插入USB2.0无读写（5.03V、210mA左右）：
4.2、在USB2.0下连续读写（5.02V、230mA-260mA，平均250mA）：
4.3、在USB2.0下随机读写（5.03V、230mA-260mA，偶尔270mA）：
4.4、从电脑USB2.0安全弹出（5.04V、187mA）：
5.1、电脑USB3.0空载电压（5.06V）：
5.2、插入USB3.0无读写（4.99V、240-250mA）：
5.3、在USB3.0下连续读取（4.96V、370-390mA）：
5.4、在USB3.0下连续写入（4.91V、400-550mA）：
5.5、在USB3.0下随机4K读取（4.98V、274-276mA）：
5.6、在USB3.0下随机4K写入（4.97V、275-290mA）：
5.7、在USB3.0下随机4K-64线程读取（4.96V、330-350mA）：
5.8、在USB3.0下随机4K-64线程写入（4.96V、360-390mA）：
5.9、在USB3.0下访问时间-读取（4.98V、260-270mA）：
5.10、在USB3.0下访问时间-写入（4.97V、290-320mA）：
5.11、从电脑USB3.0安全弹出（4.99V、225-226mA）：
6、其实刚开始写入测试的瞬间电流也有超过400mA的时候，不过手机相机捕捉不到，这样看所需电流并不太大。
7、我的是通过USB3.0HUB连接的，如果是直连原生3.0只会更加稳定。如果使用2.0我也试过两次，发热低不少，连续读写只有30MB/s左右，但是得益于爆表的4K性能，WinToGo启动并没有想象的慢，即使与7200转的3.0的机械硬盘相比，启动和运行速度依旧强好多倍。
8、另外256G用了近一个月也出现过3次插上没有盘的现象，只要重新插拔即可，有512G的坛友也一起测试分享下使用心得吧
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发表于 2017-10-16 19:58:48
