三星BAR Plus是三星自己的USB闪存盘中的一条产品线。作为全球屈指可数的几家闪存芯片生产厂家，三星的颗粒一直广受好评，之前论坛有过32GB版本的评测，今天测试的是128GB版本。经过测试发现，与小容量版本比较，速度提升明显。
目录
介绍
三星BAR Plus是三星自己的USB闪存盘中的一条产品线。作为全球屈指可数的几家闪存芯片生产厂家，三星的颗粒一直广受好评，之前论坛有过32GB版本的评测，今天测试的是128GB版本。经过测试发现，与小容量版本比较，速度提升明显。
规格
本次评测的是BAR升级版+ USB3.1 闪存盘。官方宣称读取可到400MB/s，且有防水防磁等卖点。
除此之外，还有防水标准：可在3％氯化钠盐水中浸泡长达72小时。防磁标准：高达15,000高斯（等于MRI）。
但三星官网注释，对于损坏或恢复数据所产生的费用不承担任何责任。
外观
首先是包装，三星这款的包装比以往拆的同类型包装要更厚实一点。
盘体是金属材质，没有拉丝，也不是磨砂，手感比较光滑。
尾部明显更重。
大小和长度适中，适合作为日常使用的U盘随身携带。
测试平台
CPU：i3-10100
主板：华硕TUF 华硕TUF GAMING B460M-PLUS (WI-FI)
接口：Intel 原生 USB3.2 gen1
基准测试
芯片精灵
使用的慧荣SM3281BB主控，三星的颗粒。
识别为双通道是错误的，实际上是单通道。
WTGbench
得到了Gold评价，4K随机的速度比较可观。
CrystalDiskMark
ATTO Disk Benchmark
TxBENCH
AS SSD Benchmark
Iometer 2000s 4k写入
4K写入一直稳定在平均2300IOps左右，还是非常不错的。
掉速测试
连续4k写入后的掉速测试
测试方法：先对U盘进行慢速格式化，然后测速。之后使用Iometer 4K
随机写入2000秒。通电闲置15分钟，再进行测速。如果U盘的4K随机速度有降低，则认为对U盘的4K随机速度有不可恢复的降低。不适合作为WTG系统盘长期使用。具体实验方法参考：掉速实验（萝卜头论坛）
结果如下：
结论：连续的4K写入对U盘的4K写入性能造成了一定的影响。包括速度变慢，访问时间变慢等。
连续写入之前
连续写入之后
 
填充50%、90%测速
将U盘分别填充到50%和90%进行测速。
有的盘的SLC缓存区会动态变化，当可用空间越少的时候，性能可能越差。
结论：剩余空间对速度没有影响
50%
90%
 
TxBENCH全盘写入测速
利用TxBENCH进行全盘写入，并记录每个时期的速度。这项测试可以帮助了解U盘的长时间连续写入速度是否稳定。如果是SSD盘则能够测试SLC缓存的大小和缓外速度。测试方法
总体来看，写入速度还稳定在62MB/s，鲜有掉速。表现很稳定。
总结
这个盘用单通道1CE实现了如此快的连续读写速度，和4K速度，三星的技术实力可以说很强。
但是CDM混和读写性能略差，以及WTGBench场景测试中分数较低，表明这个盘在多线程混合读写情况下可能表现不好，不适合重度WTG应用。
类似的U盘还有雷克沙M45，三星这款与之相比有原厂颗粒的优势，价格合适的情况下 ，可以适当考虑。
| 
[复制链接]
发表于 2021-1-6 23:29:50
发表于 2021-1-7 15:41:16
发表于 2021-1-7 17:16:56
大佬请问为什么我用这款u盘拷个电影写入只有34m/s 插得是3.0接口 另外我看论坛说需要改策略 我试了下默认的是快速删除 可以改“更好的性能” 但下面的启用设备上的写入缓存点不了... 怎么办那个有影响吗
楼主