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[新鲜事] 三星半导体:CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见

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发表于 2025-9-29 12:29:10 | 只看该作者 |只看大图 |倒序浏览 |阅读模式
[p=30, null, left][color=rgb(66, 66, 66)]三星电子副总裁 Kevin Yoon 在上周举行的 GMIF 2025 创新峰会上表示,该企业包括新一代 CXL 内存模块、超大容量固态硬盘在内的一系列 AI 存储产品将陆续登场。[/color][/p][p=30, null, left][color=rgb(66, 66, 66)]
[/color][/p][p=30, null, left][color=rgb(66, 66, 66)]Kevin Yoon 表示三星半导体目前已实现 CXL 2.0 CMM 内存模块的量产,而下一代的 CXL 3.1 / PCIe 6.0 CMM-D 解决方案计划在 2026 年推出。[/color][/p][p=30, null, left][color=rgb(66, 66, 66)]而在 NAND 闪存领域,这位副总确认即将于 2026 年初推出的 PCIe 6.0 固态硬盘 PM1763 可在 25W 功耗下实现性能翻倍、能效提升 60%;对于超大容量领域,三星将在明后两年带来 256TB 级 (PCIe 5.0) 和 512TB 级 (PCIe 6.0) 的 EDSFF 1T 外形规格型号。[/color][/p][p=30, null, left][color=rgb(66, 66, 66)]至于介乎传统 DRAM 和 NAND 之间的内存级存储品类,Kevin Yoon 表示三星电子正在研发第七代 Z-NAND 技术,面向 GIDS(GPU 主动直接存储)应用场景,可实现远超行业标准的吞吐量表现。[/color][/p]
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