在我的认知范围内，CHIPFANCIER 应该是全球首发2TB固态闪存盘（固态U盘）了。
同类型产品，要么体积比他大（因为是硬盘盒+NGFF硬盘的分体式方案，而不是CF这种一体式方案，很难做到最小体积），要么就没他容量大。
就算看体积差不多的还能做到容量这么大的，也没几个，而且价格是他的好几倍。同体积容量最大，同容量体积最小，确实是值得称赞。
为了避免有杠精来搞事情，这里我还是举个例子：
金士顿DTUGT，京东自营旗舰店2TB版本售价RMB 9999，售价是CF盘 2TB版本的3倍多（目前的消息CF盘 2TB版本售价会在RMB 3000上下），且Seq写入速度只有200MB/s。
据我所知应该是采用和HXS3一样的群联PS2251-08（PS2308）USB控制器，因为看读写速度最高也就是300MB/s左右的水平，4K写入速度可低至0.003MB/s，是我所见过的磁盘中4K写入速度最差的磁盘，没有之一（连黑胶牛屎主控盘都没这么慢）。
并且，通过拆解我们发现，其内部并非采用原厂正片，而是用的白片；对此，在MWC19上我看到某个固态硬盘厂商所展示的产品用的也是白片闪存（不是金士顿），询问后，对方表示：消费级用不着原厂正片，用这种白片降级片就足够了。
欲知详情可以看这两篇帖子：
好了，废话少说，开箱！
这个帖子应该也是「全网首发」开箱评测2TB固态闪存盘（固态U盘）的帖子了
此次收到的是工程样盘，所以是这样的黑色防震袋包装，正是零售版会是精致的黑色包装盒，至于是什么样子的嘛......你们买一个就知道了呀 /滑稽
（CF很早之前就换成那种精致的黑色包装盒了，最近一段时间买盘的人应该都知道）
最上面的是NANO，中间两个就是本次收到的两枚3D NANO的电路板，分别是1TB版本以及2TB版本，最下面的是NANO C
背面
1TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
1TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
镁光（Micron）DDR3 DRAM微距照
在镁光官网根据 FBGA Code（适应层码）可以查询到 Part Number（零件编号）为 MT41K512M16HA-107G:A
闪迪（SanDisk）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量512GB）特写
闪迪（SanDisk）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量512GB）微距照
2TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
2TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
镁光（Micron）DDR3 DRAM微距照
在镁光官网根据 FBGA Code（适应层码）可以查询到 Part Number（零件编号）为 MT41K1G16DGA-125:A
东芝（Toshiba）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量1TB）特写
东芝（Toshiba）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量1TB）微距照（上）
东芝（Toshiba）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量1TB）微距照（下）
新的1TB和2TB版本的3D NANO采用的是SM2258H主控+闪迪/东芝 BiCS 64层堆叠 3D TLC闪存，
而2019款128GB、256GB、512GB版本的NANO还是继续采用SM2246EN主控+MLC闪存
慧荣科技（Silicon Motion） SM2258H SSD控制器微距照
祥硕科技（ASMedia）ASM1351 USB3.1 Gen2 转接芯片（上）和兆易创新（GigaDevice）W25X10CLUXIG SPI NOR Flash（下）微距照
威世（Vishay）钽电容微距照
CHIPFANCIER NANO C对比13英寸MacBook Pro蝶式键盘
CHIPFANCIER NANO C对比创见移动固态硬盘
CHIPFANCIER NANO C对比中华人民共和国居民身份证（一般银行卡大小）
CHIPFANCIER NANO C纵向对比iPhone X
CHIPFANCIER NANO C横向对比iPhone X
开箱完毕，下面是测试环节
ChipGenius芯片精灵测试
CrystalDiskInfo测试
TxBENCH测试
AS SSD Benchmark测试
CrystalDiskMark测试
IsMyHdOK测试
Anvil's Storage Utilities测试
ATTO Disk Benchmark测试
Blackmagic Disk Speed Test测试
trimcheck测试
Windows To Go磁盘测试
读写可靠性测试
IOmeter 4K QD32 随机写入测试
IOmeter测试原始数据：2019款 CHIPFANCIER 3D NANO USB3.1固态闪存盘 4KB QD32 随机写入.xlsx
IOmeter 连续写入测试
IOmeter测试原始数据：2019款 CHIPFANCIER 3D NANO USB3.1固态闪存盘连续写入.xlsx
尾巴：
从SLC到MLC，从MLC到TLC，再到现在QLC，每一次都会有人都会鄙视本代技术，当下一代技术出现时候，又会说本代技术真香。时代在发展，科技在进步。
制程越先进寿命越差，谁告诉你MLC一定比TLC寿命好的，寿命这个东西是由主控、算法以及使用方式等多方面因素息息相关的，而不单单是由存储芯片所决定的。
另外就是，因为性能和寿命等方面的考量，小容量的盘还会继续用MLC只有1TB和2TB的产品会采用3D TLC闪存，并且会采用专为3D TLC闪存优化的SM2258H主控，配合DDR闪存。这样一来，采用3D TLC闪存的产品性能能达到和MLC闪存一样的水准，而且不开SLC Cache所以也不会有所谓的掉速问题，寿命的话因为容量大了所以理论上1TB 3D TLC的盘的TBW（总写入字节数）和512GB 2D MLC的盘几乎一样，2TB版本的寿命又翻了一倍，前提是每天写入同样多的数据。
正常人一天也就写进去几十GB吧，谁整天往盘里面读写几个T的数据啊......这寿命绝对够用了，何况还有终身质保，速度快了价格低了，用坏了直接找官方换新的岂不美哉？你怕啥。
说到这里那我们就来计算一下如果有人想故意的把寿命用光，然后就持续不断的擦写闪存，需要多久：
现在正常的64层TLC寿命可以达到800-1000PE，正常使用下来800PE会有，2TB=2097152MB（2*1024*1024=2097152MB），2097152*800=1677721600MB，平均下来写入速度是400MB/s，1677721600/400=4194304s，4194304/86400（24小时*每小时60分钟*每分钟60秒=每天86400秒）约等于48.545天，当然这是持续写入的时间，还得有擦掉的时间呢，所以至少应该超过这个时间，而且还要找到能执行这项操作的程序，还要搭着时间精力电费，就为了恶搞一下厂商？真不值当的，我相信一定不会有这么无聊的人吧......
那让我们来算一下正常人这个盘，就算用10年对吧（我跟你讲你肯定用不到十年！不信走着瞧，不说10年，5年后出USB4.0的盘了你换不换？）咱就按十年算：
前面我们算过，这个盘的闪存芯片总共可以写入1677721600MB这么多数据，不考虑闰年的话，每年365天，用10年也就是3650天，1677721600/3650/1024约等于448.877GB/天，每天写入448.877GB这么多数据可以用10年，那要是用5年将尽每天可以写入1TB数据，关键是你转天还得擦掉，正常人谁每天往盘里写这么多数据，而且写完了转天还擦掉，然后再接着写，这么循环往复下去。
所以经过这么多计算，我们的结论是什么？就是哪怕用了3D TLC闪存，你的盘也绝对是寿命过剩的，真到了那时候可能先出问题的不会是闪存寿命，而且主控掉固件？或者USB头都给磨坏了吧......
寿命就不是我们作为消费者该担心的问题，这是厂商该担心的问题才对。正常使用，你能把寿命用完我服你（当然你要是闲的没事干故意擦写完所有寿命当我没说）。
