本帖最后由 Hashimoto 于 2018-5-22 03:54 编辑
相关链接：“科普下目前最新的过各种封装方式的闪存引脚定义”！
源图来自网络，至于是哪个网，你懂的。。。
PS：当然是万能的淘宝！是淘宝找的闪存植锡钢网啦。。。
图中的封装方式是我加的，如有错误，欢迎提出！
从上图中可以看出如下规律：
LGA-52就是闪存有52个引脚，
LGA-60就是闪存有60个引脚，
BGA-63就是闪存有63个引脚，
BGA-100就是闪存有100个引脚，
BGA-132就是闪存有132个引脚，
BGA-136就是闪存有136个引脚，
BGA-152就是闪存有152个引脚，
BGA-272（东芝）就是闪存有272个引脚，
BGA-316（三星）就是闪存有316个引脚，
以此类推。
按照此理论推测，TSOP-48就是有48个引脚，分布在闪存两侧就是一侧24个引脚。
而TSOP、LGA、BGA等封装方式的确不同各个的引脚焊点大小也不同，但均独立相同*1。
根据实际使用与检测，闪存工业是"TSOP<LGA<BGA"（工艺*2由易到难）；
性能同样也是"TSOP<LGA<BGA"（性能*3由低到高）；
由此可见，工艺与性能成正比，用句古话说就是一分付出一分收获啊！
*1这句话简单的说就是TSOP、LGA、BGA的引脚焊点大小不同，但所有TSOP、LGA、BGA的闪存的引脚焊点大小都各自相同
*2工艺指闪存的制造工艺与焊接工艺等多方面
*3性能指测试速度的Seq与4K等多项
现在各个闪存厂最新的工艺如下：
三星：14nm
海力士：16nm
闪迪＆东芝：15nm
英特尔＆镁光（IM闪存）：16nm
以上信息如有错误，欢迎提出，我们会及时更正！