同类型产品，要么体积比他大（因为是硬盘盒+NGFF硬盘的分体式方案，而不是CF这种一体式方案，很难做到最小体积），要么就没他容量大。 就算看体积差不多的还能做到容量这么大的，也没几个，而且价格是他的好几倍。同体积容量最大，同容量体积最小，确实是值得称赞。 金士顿DTUGT，京东自营旗舰店2TB版本售价RMB 9999，售价是CF盘 2TB版本的3倍多（目前的消息CF盘 2TB版本售价会在RMB 3000上下），且Seq写入速度只有200MB/s。 据我所知应该是采用和HXS3一样的群联PS2251-08（PS2308）USB控制器，因为看读写速度最高也就是300MB/s左右的水平，4K写入速度可低至0.003MB/s，是我所见过的磁盘中4K写入速度最差的磁盘，没有之一（连黑胶牛屎主控盘都没这么慢）。 并且，通过拆解我们发现，其内部并非采用原厂正片，而是用的白片；对此，在MWC19上我看到某个固态硬盘厂商所展示的产品用的也是白片闪存（不是金士顿），询问后，对方表示：消费级用不着原厂正片，用这种白片降级片就足够了。
好了，废话少说，开箱！
这个帖子应该也是「全网首发」开箱评测2TB固态闪存盘（固态U盘）的帖子了
此次收到的是工程样盘，所以是这样的黑色防震袋包装，正是零售版会是精致的黑色包装盒，至于是什么样子的嘛......你们买一个就知道了呀 /滑稽 （CF很早之前就换成那种精致的黑色包装盒了，最近一段时间买盘的人应该都知道）
最上面的是NANO，中间两个就是本次收到的两枚3D NANO的电路板，分别是1TB版本以及2TB版本，最下面的是NANO C
背面
1TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
1TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
镁光（Micron）DDR3 DRAM微距照
在镁光官网根据 FBGA Code（适应层码）可以查询到 Part Number（零件编号）为 MT41K512M16HA-107G:A
闪迪（SanDisk）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量512GB）特写
闪迪（SanDisk）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量512GB）微距照
2TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
2TB版本CHIPFANCIER 3D NANO电路板特写
镁光（Micron）DDR3 DRAM微距照
在镁光官网根据 FBGA Code（适应层码）可以查询到 Part Number（零件编号）为 MT41K1G16DGA-125:A
东芝（Toshiba）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量1TB）特写
东芝（Toshiba）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量1TB）微距照（上）
东芝（Toshiba）BiCS3 64层堆叠 3D TLC闪存（单颗容量1TB）微距照（下）
新的1TB和2TB版本的3D NANO采用的是SM2258H主控+闪迪/东芝 BiCS 64层堆叠 3D TLC闪存， 而2019款128GB、256GB、512GB版本的NANO还是继续采用SM2246EN主控+MLC闪存
慧荣科技（Silicon Motion） SM2258H SSD控制器微距照
祥硕科技（ASMedia）ASM1351 USB3.1 Gen2 转接芯片（上）和兆易创新（GigaDevice）W25X10CLUXIG SPI NOR Flash（下）微距照
威世（Vishay）钽电容微距照
CHIPFANCIER NANO C对比13英寸MacBook Pro蝶式键盘
CHIPFANCIER NANO C对比创见移动固态硬盘
CHIPFANCIER NANO C对比中华人民共和国居民身份证（一般银行卡大小）
CHIPFANCIER NANO C纵向对比iPhone X
CHIPFANCIER NANO C横向对比iPhone X
开箱完毕，下面是测试环节
ChipGenius芯片精灵测试
TxBENCH测试
AS SSD Benchmark测试
CrystalDiskMark测试
IsMyHdOK测试
Anvil's Storage Utilities测试
Blackmagic Disk Speed Test测试
trimcheck测试
IOmeter 4K QD32 随机写入测试
尾巴：
从SLC到MLC，从MLC到TLC，再到现在QLC，每一次都会有人都会鄙视本代技术，当下一代技术出现时候，又会说本代技术真香。时代在发展，科技在进步。
制程越先进寿命越差，谁告诉你MLC一定比TLC寿命好的，寿命这个东西是由主控、算法以及使用方式等多方面因素息息相关的，而不单单是由存储芯片所决定的。
另外就是，因为性能和寿命等方面的考量，小容量的盘还会继续用MLC只有1TB和2TB的产品会采用3D TLC闪存，并且会采用专为3D TLC闪存优化的SM2258H主控，配合DDR闪存。这样一来，采用3D TLC闪存的产品性能能达到和MLC闪存一样的水准，而且不开SLC Cache所以也不会有所谓的掉速问题，寿命的话因为容量大了所以理论上1TB 3D TLC的盘的TBW（总写入字节数）和512GB 2D MLC的盘几乎一样，2TB版本的寿命又翻了一倍，前提是每天写入同样多的数据。
正常人一天也就写进去几十GB吧，谁整天往盘里面读写几个T的数据啊......这寿命绝对够用了，何况还有终身质保，速度快了价格低了，用坏了直接找官方换新的岂不美哉？你怕啥。
说到这里那我们就来计算一下如果有人想故意的把寿命用光，然后就持续不断的擦写闪存，需要多久：
现在正常的64层TLC寿命可以达到800-1000PE，正常使用下来800PE会有，2TB=2097152MB（2*1024*1024=2097152MB），2097152*800=1677721600MB，平均下来写入速度是400MB/s，1677721600/400=4194304s，4194304/86400（24小时*每小时60分钟*每分钟60秒=每天86400秒）约等于48.545天，当然这是持续写入的时间，还得有擦掉的时间呢，所以至少应该超过这个时间，而且还要找到能执行这项操作的程序，还要搭着时间精力电费，就为了恶搞一下厂商？真不值当的，我相信一定不会有这么无聊的人吧......
那让我们来算一下正常人这个盘，就算用10年对吧（我跟你讲你肯定用不到十年！不信走着瞧，不说10年，5年后出USB4.0的盘了你换不换？）咱就按十年算：
前面我们算过，这个盘的闪存芯片总共可以写入1677721600MB这么多数据，不考虑闰年的话，每年365天，用10年也就是3650天，1677721600/3650/1024约等于448.877GB/天，每天写入448.877GB这么多数据可以用10年，那要是用5年将尽每天可以写入1TB数据，关键是你转天还得擦掉，正常人谁每天往盘里写这么多数据，而且写完了转天还擦掉，然后再接着写，这么循环往复下去。
所以经过这么多计算，我们的结论是什么？就是哪怕用了3D TLC闪存，你的盘也绝对是寿命过剩的，真到了那时候可能先出问题的不会是闪存寿命，而且主控掉固件？或者USB头都给磨坏了吧......
寿命就不是我们作为消费者该担心的问题，这是厂商该担心的问题才对。正常使用，你能把寿命用完我服你（当然你要是闲的没事干故意擦写完所有寿命当我没说）。
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发表于 2019-7-2 22:17:11
发表于 2019-7-3 09:24:21
