wintogo 发表于 2018-7-6 11:59:06

Hashimoto 发表于 2018-7-6 11:26
这次我们有两种电路设计,单颗Flash也可以达到和之前一样的速度,但是有效的降低了发热,大容量版本还是双 ...

我猜也是了, 设计单面 是为了降低功耗, 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速度单颗肯定比不是双颗的 ,多通道加速摆在那里3.体积变小了,,热量肯定比之前老款大 。长度相应也会增加。等NVME 转USB3.1吧(不过我看了下好像发热也不小)
作为学生党的我还是继续用老款吧,{:23:}
不过有改变总是好的~

Hashimoto 发表于 2018-7-6 12:06:14

wintogo 发表于 2018-7-6 11:59
我猜也是了, 设计单面 是为了降低功耗, 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速 ...

长度增加了但是加入了22颗钽电容进行掉电保护,至于多通道多CE的问题,这和闪存数量有什么关系?现在一颗Flash就可以做到之前两颗甚至多颗Flash的通道数和CE数,性能也绝对不比之前差......你没见过只有一颗闪存就读写破1GB/s的SSD吗......发热问题,各有取舍吧。

88361682 发表于 2018-7-6 12:08:10

wintogo 发表于 2018-7-6 11:59
我猜也是了, 设计单面 是为了降低功耗, 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速 ...

2个结论都错误
1:核心发热是FLASH,其次才是ASM SM2246EN 15nm发热已经是最低,再新的3D NAND技术用的老制程 发热更高
2:通道数和颗粒数没有关系,最新的BGA316 BGA272封装单颗粒可以集成四通道,一颗就可以喂饱SM2246EN极限,但是因为颗粒容量限制所以后期512G 1T会使用双贴版本,但是128 256会使用单贴版本。

88361682 发表于 2018-7-6 12:13:56

wintogo 发表于 2018-7-6 11:59
我猜也是了, 设计单面 是为了降低功耗, 不过感觉效果可能不会太明显。 1.主要发热单位是桥接芯片 2.速 ...

不过PRO版本确实在体积和外壳齿状设计上相对于NANO版本更占有散热能力的优势。

bosch 发表于 2018-7-6 12:18:52

这一次终于将容量印在了盘体上,有进步,值得表扬

墨璿 发表于 2018-7-6 20:12:11

终于等到新产品。先赞一个,再仔细看。

lsj8924 发表于 2018-7-6 21:41:58

对比了很多,发现这款基本上是最符合WTG的产品了。而且还很漂亮。但是无奈囊肿羞涩,现在我的方案是SSD+sata to USB3.1接口。性能和稳定性目前没发现有啥问题,也省钱了。但是便携性无疑不如这个固态U盘的。

pansf 发表于 2018-7-8 17:48:05

权限终于放开了,非常喜欢2246EN的芯片。比较稳定
页: 1 [2] 3 4 5 6 7 8 9 10 11
查看完整版本: 2018款 CHIPFANCIER NANO USB3.1固态闪存盘图赏