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[版主评测] 2020款 CHIPFANCIER SE II 超高速USB3.2固态闪存盘 拆解评测

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发表于 2020-8-29 01:03:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

首先自然是祖传开箱环节~

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包装用的透明胶带上也印有CHIPFANCIER的注册商标

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此次收到的是工程样盘,所以是这样的黑色防震袋包装,正是零售版会是精致的黑色包装盒

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CF很早之前就换成那种精致的黑色包装盒了,最近一段时间有买过CF盘的人应该都知道

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特意叫厂家多寄了一套外壳,给大家看下做工顺便研究下内部结构


这就是我第一次摸到这个盘的真实反应(不好意思爆粗口了)

因为外壳是锌合金材质,再加上采用了G2板型,体积小密度大,沉甸甸的真的很有分量感

金属表面是类肤质感(塑胶质感),用一加虎哥的话怎么说来着,手感真TM爽,如婴儿肌肤般滑嫩

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这个LOGO的字是凹下去的,据说这个LOGO是直接做到模具,压铸成型LOGO,然后用新的材料工艺再上色的

无论是看起来还是摸起来都十分有质感(不夸张的说,甚至比Pro和NANO还强,入门级吊打高端可还行)

不过因为这个外壳是锌合金压铸成型,所以使用高端CNC工艺铝合金外壳的Pro和NANO显然是没办法做到这样......

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背部印着「Superspeed USB Flash Drive」,意为「超高速USB闪存盘」,后面可能还是会改成「Solid State Flash Drive」,意为「固态闪存盘」

讲真,当我第一次听说CHIPFANCIER要做旋转壳U盘的时候,是十分不屑的,就这?当然,当我真正摸到盘的时候,果然还是逃不过真香定律。

说到旋转壳U盘,不知道大家最想想到的是什么哪个产品,我最先想到的就是金士顿DT101系列

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DT101

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DT101 G2

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DT101 G3

金士顿DT1和DT101也是我小时候最早接触到的USB闪存盘产品了,印象深刻。(暴露年龄了~)

而山寨比正品还多的金士顿,也奠定了G2 U盘板型的基础,这个G2指的就是DT101 G2(起码我是这样认为,要么就是DT1 G2)

当时金士顿的U盘买到手看电路板是规整的矩形大概率就是正品,如果是电路板有两个小尾巴突出了跟外壳固定的那就是山寨品(扯远了~)

说到旋转壳除了金士顿,我其次想到的就是笑着无奈的那个锌合金外壳,也是给我留下了深刻的印象(不过是负面印象)


你还别说,我感觉CHIPFANCIER SE II的外壳就是在笑着无奈用的这个公版外壳的基础之上改版而来


不过无奈家这外壳内部是啥东西,这是生锈了吗?还是发霉了?我至今都没搞懂,有知道的朋友可以来科普一下。

(酸民们不要造谣说我黑无奈,无奈家的产品很好啊,一分钱一分货吧,不谈价格论品质就是耍流氓,何况无奈也提供了二十多块钱的CNC外壳供选择)

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但是反观CHIPFANCIER SE II这外壳,内部,真的太干净了!(这不是应该的么,惊讶个毛线~)

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外壳上两面各有4个限位凹点

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配合旋转盖两侧的1个限位突点和两个定位突点,可以提供4种旋转固定位置

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4种旋转固定位置如图所示

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仔细观察,固定U盘电路板的塑料盖和盘身的纹路是契合的,并且盘身的造型也有传承NANO系列的设计

总结:

1.相比金士顿的塑料外壳,SE II才用了类肤质感的锌合金外壳,坚固耐用的同时,手感真TM爽

2.虽和公版外壳结构相似,但无论是手感还是细节都要好了太多(当然也不是完美的,后面会说槽点)

3.无论是传承自NANO系列的造型,还是定制模具LOGO下凹式设计,看得出来这是一款用心去做的产品,而不是简单的贴牌


接下来就到了祖传测试环节,是骡子是马拉出来溜溜~

Windows常用磁盘测试工具 官方下载地址汇总(2020年8月更新)

001.PNG

ChipGenius 芯片精灵测试

002.PNG

CrystalDiskInfo 测试

003.PNG

trimcheck 测试

004.PNG

Windows To Go 磁盘测试

005.PNG

ATTO Disk Benchmark 测试

006.PNG

IsMyHdOK 测试

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CrystalDiskMark 测试

008.PNG

TxBENCH 测试

009.PNG

AS SSD Benchmark 测试

010.PNG

Anvil's Storage Utilities 测试

011.PNG

Blackmagic Disk Speed Test 测试

012.PNG

AJA System Test 测试

4K.png

IOmeter 4K QD32 随机写入测试
IOmeter测试原始数据: CHIPFANCIER SE II 128GB 4K QD32 随机写入.xlsx (331.39 KB, 下载次数: 724)

SEQ.png

IOmeter 连续写入测试
IOmeter测试原始数据: CHIPFANCIER SE II 128GB 连续写入.xlsx (602.54 KB, 下载次数: 701)

013.PNG

urwtest 读写可靠性测试

015.PNG

HD Tach RW 测试

016.PNG

HD Tune Pro 测试


接下来就到了祖传拆解环节,不给大家拆开看看电路板怎么爽~

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特意叫厂家不用给我封胶,轻轻一拔就可以出来了

(不过还是建议你们封胶用,不然从电脑USB接口一拔,电路板就直接出来了可不好玩)

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透过外壳还可以看到内部的LED灯

USB接口朝上来说,左边是3个(2白1绿),右边是2个(1白1绿),不过暂时没开放这么多LED 只是预留的位置先贴了

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来自工厂产线上新鲜出炉的照片~

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上面图那个有外壳塑料盖挡着看不清的话可以看这个

同样,USB接口朝上来说,左边是3个(2白1绿),右边是2个(1白1绿)

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就我的观察来看,通电的一瞬间,(背面看)左边多的一个白色LED会亮一下,而后如果是USB2.0状态,左右两个绿色和白色LED同时亮

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如果是USB3.2状态,只有左右两个白色LED亮

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其实早在NANO上后期就已经加入了这样的设计,只是在宣传的产品详情页里并没有标出来,通过LED灯颜色就可以简单判断磁盘运行在哪种状态下,必须好评

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电路板正面特写,最大的那颗芯片就是祥硕科技(ASMedia)ASM1153E USB3.2 Gen1 转接芯片

毕竟是入门级产品线,毕竟是2246XT,配1153E貌似也没什么不妥(2246XT配ASM235CM那给人感觉简直就像是i3-10100处理器配了个Z490主板的感觉)

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电路板背面特写,左边是慧荣科技(Silicon Motion) SM2246XT SSD控制器,右边是东芝(Toshiba)TH58TFT0JFLBAEF 15nm MLC闪存

这个颗粒不是常见的BGA132封装,是比较少见的BGA272,单颗粒支持4通道,也就是说一颗就可以塞满SM2246XT的4个通道。

内部封装了8个CE,1CE/1DIE,16K/page 4plane,会比2plane颗粒性能更优秀。

例如常见的TH58TFT0DFLBA8H,TH58TFG9DFKBA8K会比TH58TFT0DDLBA8H,TH58TEG9DDKBA8H性能好点。

来自:2D MLC最后的末班车 2246EN方案U盘单贴TH58TFT0JFLBAEF 写400M读取500M|http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2637608


是的,你没看错,市面上大多SSD方案U盘主控板都只支持BGA132/152封装的颗粒,只有少数是为了用三星SSD拆机颗粒才设计的BGA316焊盘,专门用来支持三星特有的BGA316封装颗粒。

在U盘这种高度集成化的设备上,电路板面积寸土寸金,脚位多=性能屌(英特尔10代U不是也增加针脚数目换接口了)。不夸张的说,这一颗BGA272闪存甚至比两颗BGA132/152闪存的速度来的都要更猛。

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电路板侧面特写,同为2246XT,同为G2单面PCB布局,tb之前已经有很多类似方案出现了。

不同是SE II是8层板设计,单帖BGA272闪存(市面上的方案一般都只能贴BGA132/152闪存),并且电路板上有许多颗钽电容。

你可能会好奇2246XT不是没外置独立DRAM,为啥还需要钽电容,这不是多此一举了吗?其实不然,独立DRAM并不是大家想的那样缓存数据,一般1GB闪存才对应1MB缓存要是存数据还不得等到黄花菜都凉了。

这个外置独立DRAM一般是用了存FTL表的,现在很多NVMe SSD也支持HMB技术,可以跟主机共享内存,把一部分FTL表存在主机内存里,但是纵使PCIe接口速率很快,但是这一来一回延迟还是太大了,所以一般无外置DRAM缓存的方案性能会差很多,写入放大也会大很多。(没错,这个2246XT写入放大也很严重)

而且NVMe SSD通过USB转接芯片转接一下就没办法用HMB协议了,何况SATA SSD压根儿不存在这样的协议,那么FTL表存在哪呢?要么在主控中,要么在闪存中。

就像CPU的三级缓存一样,无独立DRAM方案的SSD主控内部也会集成一定的缓存(比如2246XT主控就内置了384KB缓存),一小部分目前读写正在使用的FTL会被读取到主控哪知道缓存中,大部分FTL还是会存在闪存的备用区块中。

既然有易失性内存,那就有FTL表丢失的风险。至于这些钽电容是有实际作用,还是心理作用,那就不得而知了。

接下来说说这个盘的槽点:

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仔细看的话侧面这边有一个圆点,不知道是外壳的问题还是喷漆的问题

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正面仔细看也有很多毛糙的点,外壳表面不够平整

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盖子内部也有不平整的地方

(我是不是有点儿吹毛求疵了,不过这确实是不如Pro和NANO外壳的地方,毕竟那是高端的CNC工艺)

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其次就是,在我玩耍整一个下午之后,发现外壳居然掉渣......

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可能是因为我特意铺了张A4纸拍照的原因,掉渣格外明显,可能那一圈磨过一遍就不掉渣了。

然后,我这个盘在我故意把一圈都磨掉之后,就再也没有出现掉渣的状况了,这个问题应该不难解决。

希望U盘在出厂的时候,能帮我完成这个掉渣的过程,或者喷漆干脆不要喷中间圆圈那部分了,反正也是要掉渣的。

关于金属外壳的处理工艺,最后再科普一波知识:

铝合金的表面处理通常是阳极氧化,不适合电镀。为什么铝合金不适合电镀呢?

铝的化学性比较活泼,如果电镀,在酸性电解液中,阴极上铝离子在获得电子还原的同时,就生成铝盐和氢气。如果是碱性电解液,就生成氢氧化铝和氢气。

因此,铝不能够用电镀的方式得到镀层。这和电解食盐水得不到金属钠,而是得到氢氧化钠是一个道理。
锌合金压铸的常用表面处理是电镀,不适合阳极氧化。需要注意压铸铝合金氧化表面效果不佳。

铸造铝合金和压铸件一般含有较高的硅含量,阳极氧化膜都是呈深色的,不可能得到无色透明的氧化膜,随着硅含量的增加,阳极氧化膜的颜色从浅灰色到深灰色直至黑灰色。因此铸造铝合金不适合于阳极氧化。
但是锌合金压铸件做阳极氧化处理的效果会特别差劲,做出良品率非常低,阳极氧化处理也是个非常繁琐的过程。锌合金压铸件通常还是用电镀的表面处理工艺。

以上两段内容来自知乎:https://zhuanlan.zhihu.com/p/51827415


因此,锌合金压铸成型的外壳不适合阳极氧化,只能电镀,所以就可能会出现跟iPhone 5一样的状况(非常容易掉漆),这就要长期使用才能发现了。

我用这么短时间是没发现外壳外面有掉漆的情况。(旋转部分那块不算,那是我故意摩擦掉的)


尾巴:

回顾历史,其实CHIPFANCIER SE这条产品线也已经有些年头了,最早要追溯到2014年的SK6221 32GB SLC,不知道还有多少坛友记得,长这样:

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(2014-2015)

后来SLC闪存越来越稀少,这条产品线不得已将方案由SK6221更换为ASM1053E+SM2246XT,一开始背面印的只是WINDOWS TO GO,当时还没有SE这样一个命名

拜苹果所赐,世界上多了好多叫某某X的的产品,也多了好多叫某某SE的产品,CHIPFANCIER SE这个命名就是由此应运而生,目标就是做像iPhone SE那样的既有不俗的性能,价格又不会让人无法接受的产品

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(2016-2019)

改名之后SE产品线的电路板也进行了一次全新的升级,LED灯由红色换成白色,电路板变成定制的8层主板,桥接芯片也换成功耗更低的ASM1153E

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(2020-至今)

因为众所周知的原因(疫情),本应在2020年初完成更新换代的CHIPFANCIER SE产品线被迫延期,拖到现在才得以更新。

这次的CHIPFANCIER SE II换成了定制的锌合金旋转外壳,电路板也进一步缩小升级到G2板型,使得整体体积进一步缩小。

体积虽小,但性能却丝毫不减,得益于单颗BGA272闪存就可以做到4通道,一颗闪存就可以塞满SM2246XT的四通道。

容量也从之前可怜的32GB/64GB升级成128GB/256GB,就是不知道价格会不会变了,就算涨价了,产品竞争力也还是很强的,毕竟这次是全方位的升级。

不过受限于SM2246XT主控是无独立DRAM缓存方案,桥接芯片也是低一级的ASM1153E,想要极致性能那还是选NANO/3D NANO产品线的产品吧。

这次的SE II相当于是花了NANO 50%的价格买了80%的性能,非常具有性价比,适合想要玩WTG,但又不想花很多钱买大块头的固态U盘的玩家。
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发表于 2020-8-29 22:04:17 | 显示全部楼层
哇哇哇哇
必须顶顶顶顶顶
我正愁着买什么U盘送给同学
希望快点出啊
价格也不要太高了
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发表于 2020-8-29 22:05:04 | 显示全部楼层

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真的太棒了
以前的SE老是找盖子,现在不怕了
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 楼主| 发表于 2020-8-29 22:31:23 | 显示全部楼层
ZhanBE 发表于 2020-8-29 22:05
真的太棒了
以前的SE老是找盖子,现在不怕了

以前的SE盖子也可以盖在U盘尾部hh
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发表于 2020-8-29 22:45:41 来自手机 | 显示全部楼层

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发表于 2020-8-29 23:33:59 | 显示全部楼层

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哗~又有新玩儿了
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发表于 2020-8-30 00:42:30 | 显示全部楼层

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你这是不是有点标题党了?不写成USB3.0最起码也得要写个USB3.2 Gen1吧?
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发表于 2020-8-30 00:50:29 | 显示全部楼层

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