如题，因近期莫名坏了一块cz880，考虑到同价位的海康等品牌同为2320方案，使用自封的YMTC闪存（如海康S1000）但宣传页性能不如CF，遂入手。入手价512G版本587元（含88vip折扣）
外包装与盘体展示
新批次的CF UME D并未使用宣传图中的BiCs5闪存，而是换用了美光B47R 176L TLC。
- v0.11a
Drive: 8(USB)
OS: 10.0 build 26200
Model: CHIPFANCIER UME D
Fw : X1224A00
Size : 488386 MB [512.1 GB]
Model : SSFD /CHIPFANCIER UMED
Rev/sn : 1000/
Size : 488386 MB [512.1 GB]
Controller : SM2320XT (from firmware)
FW version : X1224A00
Bank00: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank01: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank02: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank03: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank04: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank05: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank06: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank07: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
FlashID : 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Channel: 4
CE : 2
Plane : 4
Die/Ce : 1
Ch map : 0x0F
CE map : 0x03
Bit Per Cell : 3(TLC)
Pages/Block : 2112(704)
Nand clk : 400
CDI相关信息，数据是我自己测试造成的。
测试平台CPU Intel i7 11700B@全核4.4GHz,-50mv offset(TigerLake-H, Intel 10nm Superfin)
先看看CDM，顺便附上手上几块移动盘的对比（注意文字标注）
相较于Sn520+JMS583的方案，CF的2320在随机性能上要落后一些，与使用群联U17方案的Aigo U397不相上下。好歹sn520是块正经Nvme SSD，打不过也正常。（何况sn520的SLC CaChe极小）。以上的这些盘都比雷克沙的普通U盘强不少（顺便提一句，雷克沙这盘写入其实是90-20间的大波浪）
室温25℃，使用HD Tune查看缓存策略并查看极限温度。得出的结论是没有结论，200GiB全程保持在约900MiB/s的写入速度。用Hwinfo64监控到的最高温仅60多，在固态U盘中表现优秀。
3D Mark存储基础测试，中规中矩。
使用fio进行1MQ8T1的1000s写入，结果如下：
奇怪的结果，前500s维持在800MiB/s附近，后500s维持在850-900MiB/s间。
但是比LexarD400这种普通U盘的散点图要好得多