近日，杭州国家“芯火”平台宣布，其第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片正式诞生，命名“杭州芯火壹号”HX001。
经过功能和性能检测，HX001芯片的工作电压小于5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于106；在150℃环境下，分别在1s、30s、100s、300s、1000s、3000s时加约0.1V小电压，对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定。
根据模型外推，忆阻器所存储的数据可在15℃环境温度下保持10年以上，忆阻器单元面积小于40F^2（F为制程工艺）。
目前，HX001芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。项目已申请一项国家发明专利。
科普一下阻变存储器（ReRAM或RRAM）
阻变式存储器的核心是阻变材料。 简单来说，阻变材料在高电压下，会改变阻值大小，可以用来擦写信息。用一个适当的小电压（不改变阻值）可以读取信息。
常用的阻变材料有很多，如氧化钨（WOx）、氧化铪（HfOx）、氧化钽（TaOx）等
ReRAM的结构一般有1T1R （1个晶体管1个阻变器）、0T1R（1个阻变器）、1D1R（1个二极管1个阻变器）。
与传统技术相比，ReRAM的优点有更快的速度、更低的功耗、更大的容量、更好的写入寿命。
经过功能和性能检测，HX001芯片的工作电压小于5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于106；在150℃环境下，分别在1s、30s、100s、300s、1000s、3000s时加约0.1V小电压，对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定。
根据模型外推，忆阻器所存储的数据可在15℃环境温度下保持10年以上，忆阻器单元面积小于40F^2（F为制程工艺）。
目前，HX001芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。项目已申请一项国家发明专利。
科普一下阻变存储器（ReRAM或RRAM）
阻变式存储器的核心是阻变材料。 简单来说，阻变材料在高电压下，会改变阻值大小，可以用来擦写信息。用一个适当的小电压（不改变阻值）可以读取信息。
常用的阻变材料有很多，如氧化钨（WOx）、氧化铪（HfOx）、氧化钽（TaOx）等
ReRAM的结构一般有1T1R （1个晶体管1个阻变器）、0T1R（1个阻变器）、1D1R（1个二极管1个阻变器）。
与传统技术相比，ReRAM的优点有更快的速度、更低的功耗、更大的容量、更好的写入寿命。