【科普】NAND闪存接口标准介绍
SSD系列科普目录：1. NAND闪存芯片内部结构介绍
2. NAND闪存读写原理（上）
3. NAND闪存读写原理（下）
4. NAND闪存接口标准介绍
5. SSD主控硬件架构介绍
闪存芯片通过背面的引脚与主控进行通信，
由于主控需要对闪存芯片进行比较低级别的操作，每个通道、CE都要单独控制，
所以需要的引脚数量比较多。
BGA-132闪存的信号线如下图中黄色部分。
一、 NAND闪存分类
可以按下面几种方式给闪存分类。
数据线宽度：8位/16位
信号线模式：同步/异步
数据采集模式：SDR / DDR
接口命令标准：非标准 / ONFi / Toggle
二、接口命令标准
Onfi诞生于2006年，使用ONFi的闪存厂家有 英特尔、美光、海力士、长江。
使用Toggle的闪存厂家有 东芝和三星。
闪迪比较特殊，既有ONFi的闪存又有Toggle的闪存，也有同时支持两种的闪存。
Onfi中包括 SDR（异步）、NV-DDR、NV-DDR2、NV-DDR3、NV-LPDDR4。
在最新的Onfi 5.0版本中。NV-DDR3和NV-LPDDR4的最快速度可达2400MT/s（1200MHz）
Toggle也有不同的版本，包括Toggle 1.0 2.0 3.0等，但没有公开的文档说明。
三、信号线简介
CLE(Command Latch Enable)：命令所存。
ALE(Address Latch Enable) ： 地址锁存。 与CE、ALE、WE、RE、DQS、CLK等共同用于指示总线的状态（Standby, Idle, 指令周期, 地址周期, 数据输入周期, 数据输出周期等）
DQ7-0(IO7-0)： 8 位数据线
CE(Chip Enable) ：选择Target，低电平有效。
R/B：Ready/Busy. 低电平表示Busy, 表示有一个或多个Die(LUN)正在忙。
RE：Read Enable.
W/R：Write/Read
DQS：Data Strobe
WP：Write Protect.
各个接口命令标准中使用的信号线并不一样，并不是所有的信号线同时都会被使用，具体情况很复杂，不展开介绍了。
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