Hashimoto 发表于 2020-3-10 11:01:46

论三星 eMMC UFS 闪存命名规则 Samsung eMMC UFS Naming Rules

事情是这样的,之前我发了这样一个帖子:可能是目前最具性价比的WTG方案——SM3350 UFS闪存盘评测
https://bbs.luobotou.org/forum.php?mod=viewthread&tid=44954&fromuid=17
(出处: 萝卜头IT论坛)

其中我提到了有关三星UFS闪存的命名规则, 当时是参考了知乎这个帖子:https://zhuanlan.zhihu.com/p/26551649

大概就因为这个事情吧,无奈说我给的信息都是错的,然后,我发现这个帖子其实并不是完全正确的。

无论是搞科学还是技术,从来都不应该怕承认错误,所以,当初我写的有问题,这么多人提醒我,我才注意到问题,就让我来自打脸吧。


Excel电子版:
我来指出一下我目前发现的知乎那个帖子的问题:

字符7: V: NAND Small Clasification (Type or Density) is TLC 闪存架构为TLC
其中,第7个字符与闪存架构有关:
1)SLC(Single-Level Cell)为1或9;
2)TLC(Triple-Level Cell)为V、U或Z;
3)MLC(Multi-Level Cell)为A、B、C、D、E、G、J、K等。
1.根据三星官网这个文档:http://www.samsungmemory.com.cn/pd.jsp?id=36
KLM4G1FEPD-B031和KLM4G1FETE-B041,前者为2D TLC,后者为2D MLC,可他们的第7位都是F。反例还有很多,自己去我上面的表格里面找吧。
移动设备用的嵌入式闪存本来就是从eMMC 5.1过渡到UFS2.0的,所以闪存命名规则按理来说也是应该延续下来的。(eMMC和UFS闪存应该是同一套命名规则)
从这里最起码可以说明,通过这第7位来判断是其闪存架构,目前看来是不正确的。

至于这一位具体表示啥,我目前也没研究明白,大家可以看看表格分析一下,有结果欢迎在下面留言。


字符8: 1: Supply voltage, mode 电压,模式(X)
2.参考这里:https://www.samsung.com/semiconductor/cn/estorage/emmc/

KLMEG8UCTA-B041和KLMDG8JEUD-B04P工作电压都是1.8/3.3V,而第8位一个是C一个是E,所以我认为这第8位应该表示闪存接口(协议)。

所以参考了下这里:https://www.samsung.com/semiconductor/cn/estorage/eufs/

三星新出的UFS3.0型号为KLUGGARHDA-B0D1,接口为G4 2Lane,所以E=HS400,1=G3 2Lane,H=G4 2Lane


字符9: E: Controller version 控制器版本(与HS-Gx x-Lane有关)(X)
3.上面第8位表示这个接口协议了,这一位自然而然也就错了,至于这一位具体表示啥,我目前也没研究明白,大家可以看看表格分析一下,有结果欢迎在下面留言。

字符14(我这里是“-”后面的字符3)和字符15(我这里是“-”后面的字符4)我给他补充了一下。

至于我怎么得到的这些信息,信息来源就是上面给出的几个链接,自己排序找规律就是了,还有就是翻遍了全网有关三星eMMC和UFS的DataSheet。

目前还是没搞懂第7位和第9位到底表示什么,欢迎知道的大佬在下面留言。

1273095372 发表于 2020-3-10 22:07:48

看了一下之前的帖子,我感觉ufs的盘还是不如ssd主控和mlc的好用,而且一时半会也超不过。。尤其是连续写入,直接一半都不如了。。。(日常吃瓜看大佬们聊天{:15:})

Jeffer_Cooper 发表于 2022-6-8 11:11:40

第9位表示什么,楼主大人是否弄清楚了?可否告知下。

Hi0755 发表于 2022-6-15 09:04:32

KLUEG8U1EM-B0B1。256GBUFS2.0

jyssysz 发表于 2022-6-15 17:12:33

Hi0755 发表于 2022-6-15 09:04
KLUEG8U1EM-B0B1。256GBUFS2.0

第一次离没有焊接的存储芯片这么近!!
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